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IRL530NPBF中文资料

IRL530NPBF图片

IRL530NPBF外观图

  • 大小:193.8KB
  • 厂家:International Rectifier
  • 描述: MOSFET, N, LOGIC, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:15A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:17A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:63W; Pulse Current Idm:60A; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:2V; Voltage Vgs Rds on Meas...
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:17A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:100 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:34nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:800pF @ 25V
  • 功率 - 最大:79W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商设备封装:TO-220AB
  • 包装:管件
  • 其它名称:*IRL530NPBF

IRL530NPBF供应商

更新时间:2023-01-10 17:11:36
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